DDR2與DDR的區別

2007年5月15日

DDR2與DDR的區別：

1、延遲問題：

從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標準DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。

這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。

2、封裝和發熱量：

DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。

DDR內存通常採用TSOP晶元封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性與散熱性，所以說DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的 TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。

DDR2內存採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。

DDR2採用的新技術：

除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。

ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的製造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。

Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號後面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞衝突。

總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。



分析以上數據最簡單的認識的話就是DDR2有著發熱量比較低的超頻能力比較強的特點，而同頻的情況下DDR要佔優，具體購買是看使用情況自己斟酌決定。

內存的電壓不一樣：DDR是2.5V DDR2是1.8

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內存DDR與DDR2的區別

　　嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。

　　SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鐘周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的匯流排頻率下達到更高的數據傳輸率。

　　與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，並重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDL本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRA的兩倍。

　　從外形體積上DDR與SDRAM相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內存採用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。

　　DDR2內存起始頻率從DDR內存最高標準頻率400Mhz開始，現已定義可以生產的頻率支持到533Mhz到667Mhz,標準工作頻率工作頻率分別是200/266/333MHz，工作電壓為1.8V。DDR2採用全新定義的240 PIN DIMM介面標準，完全不兼容於DDR的184PIN DIMM介面標準。

　　DDR2和DDR一樣，採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但是最大的區別在於，DDR2內存可進行4bit預讀取。兩倍於標準DDR內存的2BIT預讀取，這就意味著，DDR2擁有兩倍於DDR的預讀系統命令數據的能力，因此，DDR2則簡單的獲得兩倍於DDR的完整的數據傳輸能力。

　　DDR2內存技術最大的突破點其實不在於所謂的兩倍於DDR的傳輸能力，而是，在採用更低發熱量，更低功耗的情況下，反而獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。

　　DDR2顯存可以看作是DDR顯存的一種升級和擴展，DDR2顯存把DDR顯存的「2bit Prefetch(2位預取)」技術升級為「4 bit Prefetch(4位預取)」機制，在相同的核心頻率下其有效頻率比DDR顯存整整提高了一倍，在相同顯存位寬的情況下，把顯存帶寬也整整提高了一倍，這對顯卡的性能提升是非常有益的。從技術上講，DDR2顯存的DRAM核心可并行存取，在每次存取中處理4個數據而非DDR顯存的2個數據，這樣DDR2顯存便實現了在每個時鐘周期處理4bit數據，比傳統DDR顯存處理的2bit數據提高了一倍。相比DDR顯存，DDR2顯存的另一個改進之處在於它採用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式，工作電壓也由2.5V降為1.8V。

　　由於DDR2顯存提供了更高頻率，性能相應得以提升，但也帶來了高發熱量的弊端。加之結構限制無法採用廉價的TSOP封裝，不得不採用成本更高的BGA封裝(DDR2的初期產能不足，成本問題更甚)。發熱量高、價格昂貴成為採用DDR2顯存顯卡的通病，如率先採用DDR2顯存的的GeForce FX 5800/5800Ultra系列顯卡就是比較失敗的產品。基於以上原因，DDR2並未在主流顯卡上廣泛應用。

雙通道內存 雙通道內存技術其實是一種內存控制和管理技術，它依賴於晶元組的內存控制器發生作用，在理論上能夠使兩條同等規格內存所提供的帶寬增長一倍。它並不是什麼新技術，早就被應用於伺服器和工作站系統中了，只是為了解決台式機日益窘迫的內存帶寬瓶頸問題它才走到了台式機主板技術的前台。在幾年前，英特爾公司曾經推出了支持雙通道內存傳輸技術的i820晶元組，它與RDRAM內存構成了一對黃金搭檔，所發揮出來的卓絕性能使其一時成為市場的最大亮點，但生產成本過高的缺陷卻造成了叫好不叫座的情況，最後被市場所淘汰。由於英特爾已經放棄了對RDRAM的支持，所以目前主流晶元組的雙通道內存技術均是指雙通道DDR內存技術，主流雙通道內存平台英特爾方面是英特爾 865、875系列，而AMD方面則是NVIDIA Nforce2系列。

雙通道內存技術是解決CPU匯流排帶寬與內存帶寬的矛盾的低價、高性能的方案。現在CPU的FSB（前端匯流排頻率）越來越高，英特爾 Pentium 4比AMD Athlon XP對內存帶寬具有高得多的需求。英特爾 Pentium 4處理器與北橋晶元的數據傳輸採用QDR（Quad Data Rate，四次數據傳輸）技術，其FSB是外頻的4倍。英特爾 Pentium 4的FSB分別是400、533、800MHz，匯流排帶寬分別是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的內存帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在單通道內存模式下，DDR內存無法提供CPU所需要的數據帶寬從而成為系統的性能瓶頸。而在雙通道內存模式下，雙通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的內存帶寬分別是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在這裡可以看到，雙通道DDR 400內存剛好可以滿足800MHz FSB Pentium 4處理器的帶寬需求。而對AMD Athlon XP平台而言，其處理器與北橋晶元的數據傳輸技術採用DDR（Double Data Rate，雙倍數據傳輸）技術，FSB是外頻的2倍，其對內存帶寬的需求遠遠低於英特爾 Pentium 4平台，其FSB分別為266、333、400MHz，匯流排帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用單通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能滿足其帶寬需求，所以在AMD K7平台上使用雙通道DDR內存技術，可說是收效不多，性能提高並不如英特爾平台那樣明顯，對性能影響最明顯的還是採用集成顯示晶元的整合型主板。

NVIDIA推出的nForce晶元組是第一個把DDR內存介面擴展為128-bit的晶元組，隨後英特爾在它的E7500伺服器主板晶元組上也使用了這種雙通道DDR內存技術，SiS和VIA也紛紛響應，積極研發這項可使DDR內存帶寬成倍增長的技術。但是，由於種種原因，要實現這種雙通道DDR（128 bit的并行內存介面）傳輸對於眾多晶元組廠商來說絕非易事。DDR SDRAM內存和RDRAM內存完全不同，後者有著高延時的特性並且為串列傳輸方式，這些特性決定了設計一款支持雙通道RDRAM內存晶元組的難度和成本都不算太高。但DDR SDRAM內存卻有著自身局限性，它本身是低延時特性的，採用的是并行傳輸模式，還有最重要的一點：當DDR SDRAM工作頻率高於400MHz時，其信號波形往往會出現失真問題，這些都為設計一款支持雙通道DDR內存系統的晶元組帶來不小的難度，晶元組的製造成本也會相應地提高，這些因素都制約著這項內存控制技術的發展。

普通的單通道內存系統具有一個64位的內存控制器，而雙通道內存系統則有2個64位的內存控制器，在雙通道模式下具有128bit的內存位寬，從而在理論上把內存帶寬提高一倍。雖然雙64位內存體系所提供的帶寬等同於一個128位內存體系所提供的帶寬，但是二者所達到效果卻是不同的。雙通道體系包含了兩個獨立的、具備互補性的智能內存控制器，理論上來說，兩個內存控制器都能夠在彼此間零延遲的情況下同時運作。比如說兩個內存控制器，一個為A、另一個為B。當控制器B準備進行下一次存取內存的時候，控制器A就在讀/寫主內存，反之亦然。兩個內存控制器的這種互補「天性」可以讓等待時間縮減50%。雙通道DDR的兩個內存控制器在功能上是完全一樣的，並且兩個控制器的時序參數都是可以單獨編程設定的。這樣的靈活性可以讓用戶使用二條不同構造、容量、速度的DIMM內存條，此時雙通道DDR簡單地調整到最低的內存標準來實現128bit帶寬，允許不同密度/等待時間特性的DIMM內存條可以可靠地共同運作。

支持雙通道DDR內存技術的台式機晶元組，英特爾平台方面有英特爾的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之後的915、925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX；AMD平台方面則有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以後的晶元。

AMD的64位CPU，由於集成了內存控制器，因此是否支持內存雙通道看CPU就可以。目前AMD的台式機CPU，只有939介面的才支持內存雙通道，754介面的不支持內存雙通道。除了AMD的64位CPU，其他計算機是否可以支持內存雙通道主要取決於主板晶元組，支持雙通道的晶元組上邊有描述，也可以查看主板晶元組資料。此外有些晶元組在理論上支持不同容量的內存條實現雙通道，不過實際還是建議盡量使用參數一致的兩條內存條。

內存雙通道一般要求按主板上內存插槽的顏色成對使用，此外有些主板還要在BIOS做一下設置，一般主板說明書會有說明。當系統已經實現雙通道后，有些主板在開機自檢時會有提示，可以仔細看看。由於自檢速度比較快，所以可能看不到。因此可以用一些軟體查看，很多軟體都可以檢查，比如cpu-z，比較小巧。在「memory」這一項中有「channels」項目，如果這裡顯示「Dual」這樣的字，就表示已經實現了雙通道。兩條256M的內存構成雙通道效果會比一條512M的內存效果好，因為一條內存無法構成雙通道。

DDR2與DDR的區別

與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內存模塊速度相同的情況下，可以提供相當於DDR內存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個設備上DDR內存只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2內存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。


DDR2與DDR的區別示意圖

與雙倍速運行的數據緩衝相結合，DDR2內存實現了在每個時鐘周期處理多達4bit的數據，比傳統DDR內存可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2內存另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。

然而，儘管DDR2內存採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主板才能搭配DDR2內存，因為DDR2的物理規格和DDR是不兼容的。首先是介面不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR內存為184針；其次，DDR2內存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內存的2.5V不同。

DDR2的定義：

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。

此外，由於DDR2標準規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。

[ 本帖最後由 一個中國人 於 2007-5-15 23:26 編輯 ]

簡單地說，DDR2內存帶寬更大一些，分為DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667等規格，分別提供每秒3.2GB、4.3GB、5.3GB的帶寬，不過它的規格與DDR是完全不兼容的，工作電壓和針腳數目都不一樣。

至於雙通道，與內存條是完全沒有關係的，它只是主板晶元組提供的一種技術，簡單地說，就是能讓帶寬提升為原來地兩倍，一條DDR400是3.2GB/s的帶寬。而兩條DDR400組成雙通道后就能提供6.4GB/s的帶寬，前提是晶元組支持雙通道。

DDR2比DDR好、速度快、性能高、但是需要新的主板晶元支持.。

雙通道內存比單通道內存速度快、性能高，但是要多花錢，兩根256M的組成雙通道肯定比一根512M的單通道貴，也得主板支持。

不一樣，DDR2支持雙通道，同樣是2條512M內存組成的1G內存DDR2的要比DDR的快一些，大約快8%左右，可以換，但不要一條DDR一條DDR2，如果只用一條內存的話DDR和DDR2沒什麼區別。

DDR2和DDR的區別太大!基本上要主板上2種插槽都有的才能用!而且不能一起用，同時只能用一種!還有目前的AMD的處理器都不支持DDR2!主板要是支持AMD的處理器，那一定不能用DDR2。

[ 本帖最後由 一個中國人 於 2007-5-15 23:24 編輯 ]

DDR2比DDR好、速度快、性能高、但是需要新的主板晶元支持

很專業，有點難懂