中國5奈米晶元技術 中媒唱衰還差十萬八千里

京港台:2025-4-2 04:25| 來源:自由時報 | 評論( 14 )  | 我來說幾句

中國5奈米晶元技術 中媒唱衰還差十萬八千里

來源:倍可親(backchina.com)

  在美國持續加強對中國高階晶元技術出口限制之際,市場傳出,中國晶元設備商深圳新凱來產業機械(SiCarrier Industry Machines)成功突圍美國技術封鎖,預期開發出的半導體新設備,將可成功助攻中國突破5奈米晶元技術瓶頸。

  不過,中媒卻唱衰,直指專利在手不等於技術成熟,畢竟從專利到量產,中間還有十萬八千里。

  據報道,來自深圳、具有國企背景的新凱來,一直以來低調神秘,卻在這次Semicon China會場上喊出7奈米起步,5奈米制28奈米都能搞定的光刻技術,並用31套「以山之名」的半導體晶元製造設備,在中國半導體圈迅速竄紅。

  新凱來董事長戴軍在Semicon China會場上表示,目前中國無法取得製造先進晶元所需的曝光機系統,特別是EUV曝光設備,但透過自家開發的非光學技術與製程機台,仍有機會以多重圖案化(Multi-patterning)方式,克服部分曝光難題。

  新凱來於2023年底取得中國知識產權主管機關核發的多重圖案化專利,該技術利用DUV設備,配合「自對準四重圖案化」(Self-aligned Quadruple Patterning, SAQP)工藝,實現接近5奈米技術指標,無需依賴昂貴的EUV設備,同時降低生產成本。

  分析師指出,新凱來的晶元製造設備能在某些情況下取代光學設備,有可能為中國提供一條實現5奈米製程的替代路徑。業內人士指出,面對來自美國的技術限制與封鎖,中國半導體產業正積極尋求「國產替代」路線,新凱來的出現與技術突破,或成為中國邁向先進位程領域的重要一環。

  但戴軍也坦言,多重圖案化技術雖能取代EUV設備,但會增加製程複雜度,從7奈米升級至5奈米時,相關製造步驟恐增加約20%,對良率造成挑戰。

  

  市場傳出,來自深圳新凱來將突破美國的技術封鎖,其本土晶元製造設備可望助中國突破5奈米技術瓶頸。(示意圖,路透)

  根據公司內部人士透露,新凱來的設備已被中國主要晶圓代工廠中芯國際(SMIC)採用,並與電信巨頭華為有合作關係。

  中媒指出,這個四重圖形技術,簡單來說就是把晶元上的圖形反覆刻蝕幾次,提高電晶體的密度和性能。如果真能用這技術突破5奈米光刻,那確實算是「獨闢蹊徑」。

  中媒直言,此次在《SEMICON China 2025》會場中沒有看到從新凱來展示任何實際設備,僅有相關技術說明以及號稱是新開發產品模型,這就好比說自己會做滿漢全席,卻連食譜都不給看一眼,誰信吶?而且,專利在手,不等於技術就成熟了,畢竟從專利到量產,中間還有十萬八千里。

  公開資料顯示,新凱來產業機械成立於2022年,其母公司新凱來科技創立於2021年,為深圳市政府的投資基金全資持有。2024年12月,新凱來成為美國商務部新增至貿易黑名單的140家中國晶元設備商之一。

 

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