中國聲稱突破「EUV關鍵技術」
來源：倍可親(backchina.com)目前先進位程使用的是極紫外光微影（EUV）技術，荷蘭的艾司摩爾（ASML）是行業巨擘，市場由ASML掌握，EUV曝光機更是先進位程必備神器。
不過中國的哈爾濱工業大學（哈工大）近期宣布，成功研發出可提供13.5納米極紫外光的技術，中國媒體認為，這部份解決了中國國產EUV曝光機製造中的光源問題，對於中國EUV光刻機曝光機的製造技術推進意義重大。
綜合中國媒體報道，哈工大2024年年底發布新聞，指出該校航天學院趙永蓬教授的「放電等離子體極紫外光刻光源」，在黑龍江省高校與科研院所職工科技創新成果轉化大賽中，獲得一等獎。 而該計劃介紹中提到，這項技術可提供中心波長為13.5納米的極紫外光。
報道更稱，哈工大這次突破的是光源技術波長是13.5納米，採用粒子加速輻射取得EUV光源，與ASML採用美國光源技術，還需要德國萊卡的透鏡技術，才能取得EUV不同，認為哈工大的技術就是一種技術創新突破。
不過報道也稱，若要生產EUV曝光機，不僅需要先進的極紫外光源技術，還需要物鏡系統、雙晶圓平台和控制系統等關鍵技術。 而這4大技術組成了高端EUV曝光機的護城河，非常難超越和顛覆。