中國最大快閃記憶體晶元製造商長江存儲在美起訴美光
來源：倍可親(backchina.com)11月11日，第一財經記者從美國加利福尼亞北區法院公布的信息了解到，長江存儲已於11月9日起訴美光科技有限公司（下稱「美光」）及全資子公司美光消費產品集團有限責任公司侵犯其8項美國專利。長江存儲在專利侵權起訴書中稱，訴訟是為了終止美光廣泛且未經授權使用長江存儲專利創新。
長江存儲是國內最大的3D NAND Flash（快閃記憶體晶元製造）廠商。長江存儲在起訴書中提到，美光使用長江存儲的專利技術，以抵禦來自長江存儲的競爭，並獲得和保護市場份額。訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（快閃記憶體）市場來阻止競爭和創新。
長江存儲指控美光侵犯了美國專利號為「10,950,623」「11,501,822」「10,658,378」「10,937,806」「10,861,872」「11,468,957」「11,600,342」和「10,868,031」的專利。美光被控侵權的產品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產品。
長江存儲在以上起訴書中稱，長江存儲不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示，去年11月，分析和跟蹤快閃記憶體市場的TechInsights公司得出結論：長江存儲是3D NAND快閃記憶體領域的領導者，超過了美光。
NAND Flash和DRAM是目前最主要的兩種存儲介質，NAND Flash可製造SSD（固態硬碟）等存儲器，用於手機、伺服器、PC等產品。集邦諮詢數據顯示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌廠商中，三星、鎧俠、SK Group、西部數據、美光的市佔率分別為31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他廠商佔比僅3.8%。
2018年，長江存儲量產第一代32層3D NAND Flash晶元，2019年量產64層256Gb TLC 3D NAND快閃記憶體，2020年跳過96層研發兩款128層快閃記憶體產品。長江存儲此前還推動擴產。集邦諮詢分析稱，2022年第三季度，受長江存儲擴大筆電Client SSD出貨等影響，價格戰日益激烈，原廠不得不拉大議價空間，吸引客戶提高訂單數量。
2022年10月，美國商務部工業和安全局發布出口管制新規，限制對中國出口晶元製造設備等，將長江存儲NAND Flash晶元層數卡在已量產的最新工藝上。當年12月，美國又將長江存儲納入出口管制「實體清單」。
除NAND Flash外，美光也是主要的DRAM生產商之一。2016年，生產DRAM的另一大存儲晶元廠商福建晉華與聯電簽署技術合作協議，開發DRAM相關製程技術，在福建晉江投資56.5億美元建設一條12英寸晶圓廠生產線。2017年，美光在美國起訴晉華與聯電，稱晉華員工竊取其知識產權交給晉華。2018年，美國商務部又將晉華列入出口管制「實體清單」。