日媒：拆解華為手機發現中國半導體或僅落後3年
來源：倍可親(backchina.com)美國政府對中國華為啟動事實上的出口禁令已有5年。美國政府一直在採取遏制中國晶元技術的措施。不過，實際效果很少被討論。每年拆解100種產品電子產品的日本半導體調查企業TechanaLye(東京中央區)的社長清水洋治表示，中國晶元的實力已經達到比台積電(TSMC)只落後3年的水平。
據日本經濟新聞報道稱，比較台積電以5納米量產的「KIRIN 9000」(2021年) 和中芯國際以7納米生產的「KIRIN 9010」(2024年)的處理器性能，發現差距不大。
清水展示的是成為2024年4月上市的華為最新款智能手機「華為 Pura 70 Pro」大腦的應用處理器（AP）和截至2021年的高性能智能手機應用處理器的兩張半導體電路圖。
最新的應用處理器「KIRIN 9010」由華為旗下的海思半導體設計，由中國半導體代工企業中芯國際(SMIC)負責量產。而2021年的應用處理器「KIRIN 9000」由海思半導體設計，台積電負責量產。
美國政府的警惕對象中芯國際採用的是線路線寬為7納米(納米是10億分之1米)的技術，而台積電當時採用5納米的量產製程，向華為供應處理器。
一般來說，如果線路線寬變窄，半導體的處理性能就會提高，半導體面積則會變小。據稱中芯國際以7納米量產的晶元面積為118.4平方毫米，台積電的5納米晶元則為107.8平方毫米，面積沒有太大差異，處理性能也基本相同。
雖然在良品率上存在差距，但從出貨的半導體晶元的性能來看，中芯國際的實力已追趕到比台積電落後至3年。雖然線路線寬為7納米，但可以發揮與台積電的5納米相同的性能，因此可以分析出海思半導體的設計能力也進一步提高。
報道稱，其中，中芯國際以7納米製程發揮了與台積電5納米相同的性能，這一事實影響巨大。隨著把線路線寬縮小到極限的「微細化」的難度加大，在尖端領域的開發競爭中，台積電要想甩開中國大陸企業變得更加困難。
據日本經濟新聞稱，清水洋治詳細分析了華為最新款智能手機，得出結論是：「到目前為止，美國政府的管制只是略微減慢了中國的技術創新，但推動了中國半導體產業的自主生產」。