武漢新芯工廠將破土 中國晶元產業能否後來居上？

轉載：華爾街日報

中國正斥資240億美元打造一個世界級的半導體產業，將與一家美國公司合作生產廣泛用於電子設備的記憶晶元。

武漢新芯集成電路製造有限公司(XMC)發言人表示，武漢新芯下周一將在湖北省武漢市動工興建中國自己的首家快閃記憶體晶元工廠。這家晶元代工企業為中國政府所有。

武漢新芯去年與美國快閃記憶體生產商Spansion Inc. (CODE)結成合作夥伴，共同研發下一代晶元技術。Spansion後來在一樁50億美元的全股票合併交易中被柏士半導體(Cypress Semiconductor Corp., CY)收購。

記憶晶元用於在電子產品中儲存數據，目前中國還沒有真正意義上的記憶晶元生產能力。在推動經濟從低端製造向更先進產業轉型的過程中，半導體行業總體上已成為中國決策層扶持的一個主要目標。

中國政府成立了一隻國家級基金，用以扶持半導體行業；此外，自斯諾登(Edward Snowden)曝光美國國家安全局(National Security Agency)利用一些美國科技產品的後門監聽外國政府後，中國也在推動科技方面的自給自足。網路安全專家稱，記憶晶元並不是黑客的主要目標，但理論上也可能被入侵。

去年，中國國有企業紫光集團有限公司(Tsinghua Unigroup)試圖投資多家美國晶元生產商，美國政府對這類舉動相當警覺。到目前為止，這家迅速崛起的中國科技公司的這一嘗試一直未獲成功。

武漢新芯的工廠將生產快閃記憶體和動態隨機存取存儲器晶元（DRAM晶元）。武漢新芯發言人稱，該廠資金主要來自中國國家半導體基金和湖北省政府。

總部位於加州 何塞的柏士半導體去年實現收入16億美元。該公司一直以靜態隨機存取存儲器晶元（SRAM晶元）而聞名。通過與Spansion合併，柏士半導體獲得了智能手機和其他產品快閃記憶體技術的專業技術。Spansion原本是高級微設備公司(Advanced Micro Devices Inc., AMD, 又名：超威半導體)和富士通(Fujitsu Ltd.)成立的合資企業。

武漢新芯發言人稱，240億美元的投資將分三個階段部署，第一家工廠專註NAND快閃記憶體生產，第二家工廠專註DRAM晶元生產，第三個階段的設施將專為供應商服務。武漢新芯和Spansion去年在建立合作關係的聯合聲明中稱，首批產品將於2017年上市銷售。

柏士半導體發言人周四未立即置評。

總部位於台灣的集邦科技(TrendForce)旗下的存儲行業研究機構DRAMeXchange研究主管楊文得(Sean Yang)表示，這是一個標誌性的突破，是中國公司真正走上自主生產半導體之路的里程碑。

據政府網站介紹，武漢新芯2006年由湖北省政府和武漢市政府設立，作為一個重大戰略投資項目的載體，資金投入額超過15億美元，湖北省科技投資集團(Hubei Province Technology Investment Corp.)是其唯一所有人。該公司主要生產各種類型的NOR快閃記憶體，許多高管此前都在中國主要的晶元代工生產商中芯國際(Semiconductor Manufacturing International Corp. )任職。

雖然武漢新芯的最新項目得到了中央政府的支持，但許多分析人士對該公司的前景仍表示懷疑。這家晶元生產商的知名度較低，而且此前中國在打造具有競爭力的半導體行業方面所取得的成功有限。

武漢新芯的起步較韓國三星電子(Samsung Electronics Co. ,005930.SE)落後很多年，同時，由於投資成本高昂，加上規模經濟的需要，存儲晶元行業對於陪跑者來說是一種頗具懲罰性的業務。十多年來，台灣已向DRAM晶元生產投入數百億美元，但未獲成功，結果是許多公司被競爭對手收購。

Bernstein Research分析師紐曼(Mark Newman)稱，他對武漢新芯的轉型並不看好。他說，該公司在存儲晶元方面的技術十分有限，較同行業的其他企業落後了數年。

一些海外公司已同意在中國建立先進的存儲晶元廠，儘管這些投資或許並不能滿足中國政府希望開發自有技術的願望。去年4月份，三星電子位於中國西安的存儲晶元工廠投入生產，英特爾公司(Intel Co. ,INTC)則於去年10月份表示，將為現有的大連工廠引入新的晶元製造機器。

中國對存儲晶元的興趣隨著去年紫光集團加大投資力度而變得明朗化。這家擁有政府背景的公司意圖收購美國存儲晶元製造商美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)，並投資西部數據股份有限公司(Western Digital Corporation, WDC)，當時西部數據正尋求收購快閃記憶體晶元製造商閃迪(SanDisk Co., SNDK)。這些交易最後均未達成，原因之一是擔心美國政府反對。

武漢新芯打算生產名為「3D NAND」的下一代快閃記憶體晶元，預計這種晶元將成為未來數年計算機設備的主流數據存儲工具。據首席執行長楊士寧(Simon Yang)描述，智能手機及其他產品目前使用的是所謂的「二維NAND」，相比之下，二維NAND就像是停車場，而3D NAND則是一個立體的停車場。

三星電子是多層次存儲技術的探路先鋒（這一技術可以提高晶元的存儲效率），其他企業跟在後面亦步亦趨，也包括美國的英特爾和美光科技。Bernstein Research的紐曼稱，三星電子是目前唯一實現量產3D NAND的製造商，不過，今年這種晶元的生產成本已經降到比常規NAND晶元更低，因此將會很快普及。

對這項技術的掌握程度也是參差不齊：三星電子的技術可達64層，而據分析師說，武漢新芯只有8層。

當被問及層數時，武漢新芯發言人不予披露。

武漢新芯網站顯示，首席營運長洪沨在去年11月份的演講中指出，只要公司現在著手做，就很可能追趕上並有機會躋身世界一流企業行列。