今天看了<2個硅原子寬度!美國造出0.7nm晶元:EUV光刻機都做不到>新聞,也證實了我不久前的猜想可以用電子束代替光束.不過,報道也說了量產困難.
我也設想過用舊電視顯像的掃描原理來代替光刻機上的EUV.以電子束代替光束.特殊的電子刻膠代替目前的光刻膠.可惜,我不搞這行的.沒有研究所實驗室無法實現.
目前,電子束光刻是不需要光刻掩膜版,想刻出什麼圖形,在人機界面用類似於EDA畫圖的方式直接輸入。刻蝕的精度非常高,普通科研機構用的,完成納米級工藝毫無難度。
但是,如果要用e-beam lithography來做量產,這就涉及到一個很嚴重的問題:產量 (throughput)。換句話,e-beam Lithography雖然精度高,但是實在是太慢了。傳統的光刻好比照相,光打到光刻掩膜版上只是幾秒時間甚至更短.所以,生產快,產量大.通過光學系統,光學掩膜版上的圖形就整體成像到硅晶圓,顯影之後在電子顯微鏡下就能看到。但是.....e-beam是用好比手工作畫,把圖形一點點的用電子束『刻' 出來。因此,生產速度慢.產能低.
不過,如果能研究出電子膠,也可以用掩膜版來電子掃描曝光.如同舊電視的電子掃描.這樣量產的速度就會提高了.根據正負電子湮滅成光子的原理,可以用正電子掃描,負電子做成電子膠.或其它的特殊材料做成電子膠.這會完全顛覆了目前的光刻技術.