本帖最後由 一九十一者 於 2018-5-1 21:35 編輯
中國一定能造出先進的光刻機!
國家光電實驗室已實現9nm 線寬光刻
中國最大的短板是高檔晶元製造。製造高檔晶元的關鍵設備是光刻機和蝕刻機。中國的蝕刻機技術不落後,最先進的已達到了5nm的製程,7nm製程蝕刻機已走出試驗室,開始向台積電供貨,已是世界領先水平。
短板是光刻機。目前能量產的光刻機只能達到90nm製程。世界先進水平是荷蘭的ASML光刻機可以光刻7nm以下的大規模集成電路。中國目前只能生產28nm的大規模集成電路,差距巨大。
因此,中國必須集中精力,集中人、財、物投入光刻機的研製!
中國人民面前沒有克服不了的困難!
2002年,光刻機被列入國家 863 重大科技攻關計劃,由科技部和上海市共同推動成立上海微電子裝備有限公司來承擔。
2008年國家又啟動了「02」科技重大專項予以銜接持續攻關。經過十幾年潛心研發,我國已基本掌握了高端光刻機的集成技術,並部分掌握了核心部件的製造技術。
2016年底華中科技大學國家光電實驗室利用雙光束,在光刻膠上首次完成了9nm 線寬光刻。雙線間距低至約50nm 的超分辨光刻。未來將這一工程化應用到光刻機上就可以突破國外的專利壁壘,直接達到EUV 的加工水平。 |